設備 / Facilities
-
走査型プローブ顕微鏡
Scanning Probe Microscope物質表面の凹凸、電気伝導度、磁場分布の原子スケール観察に使用します。
It is used for the atomic scale mapping of the topographic structure, electrical conductivity, magnetic field of material surfaces. -
材料試験機
Material Testing Machineミリサイズの試験片の圧縮変形挙動を液体窒素温度から200℃の温度範囲で測定するのに使用します。
It is used to measure the compressive deformation behaviors of millimeter size test pieces in the temperature range from liquid nitrogen temperature to 200°C. -
背面反射X線ラウエ撮影装置
X-ray Laue Camera単結晶性の評価と方位決定に用います。
It is used for evaluation and orientation determination of single crystals. -
縦型シリコニット炉
Vertical Siliconit Furnaceブリッジマン法による単結晶育成に使用します。
It is used for single crystal growth by the Bridgman method.
rsv -
横型シリコニット炉
Horizontal Siliconit Furnace真空またはガス雰囲気中で最高1500℃までの熱処理が可能です。
It is used for heat treatments up to 1500℃ in vacuum or various gas atmosphere. -
小型アーク溶解装置
Arc Melting Furnaceアルゴンガス雰囲気中でアーク放電により単体物質を融解混合して母合金を作成するのに使用します。
It is used to create master alloys by melting and mixing single substances by arc discharge in an argon gas atmosphere. -
超高温箱型炉
High-temperature Muffle Furnace大気中常用1750℃での超高温熱処理が可能です。
It is used for heat treatments at ultra high temperatures up to 1750℃ in the atmosphere.